中国的存储芯片制造商长鑫和长存预计在2026年实现显著盈利，并在全球市场中占据重要地位。长鑫的排名已跃升至全球第四，仅次于三星、SK海力士和美光，而长存则位于第三名，紧随其后。媒体普遍乐观地认为，这两家公司将大幅扩产，并逐步逼近韩国的三星和SK海力士。中国厂商在短短十年内达成如今的成就，速度远超竞争对手，已拥有良好的发展环境。
面对这种增长，韩国半导体产业协会发布了关于中韩存储芯片技术差距的报告。报告指出，中国在NAND闪存领域仅落后韩国1年，而在DRAM内存方面则落后2年，HBM则落后3年。然而，这种落后是否真实值得商榷。长存曾是全球首家量产232层3D NAND芯片的公司，尽管受到一些干扰，但在性能上已与韩国持平，这也是其取得第三名的信心来源。同时，长江存储拥有大量专利，连三星和SK海力士也需要向其请求授权，能否称作落后值得讨论。
在DRAM内存方面，长鑫已成功推出LPDDR6内存，与小米合作用于最新产品上，技术上并不落后于其他厂商。尽管在HBM领域由于设备限制确实存在不足，但随设备的解禁，技术差距可能并没有预期的那样明显。韩国的表态更多地反映出其不愿接受中国存储芯片实力提升的事实，尝试保持自身的立场。然而，随着长存和长鑫的进步，未来或许会影响韩国的市场地位。 龙8头号玩家国际
